Het Nederlandse chipconcern NXP Semiconductors heeft zijn 150 mm (6-inch) RF Gallium Nitride (GaN) productielocatie in Chandler, Arizona, geopend. Volgens NXP gaat het om de meest geavanceerde fabriek voor 5G RF power amplifiers in de Verenigde Staten.
De nieuwe productiefaciliteit combineert de expertise van NXP op het gebied van RF-power en de knowhow van massaproductie, wat resulteert in gestroomlijnde innovatie die de uitbreiding van 5G-basisstations en geavanceerde communicatie-infrastructuur in de industriële, lucht- en ruimtevaart- en defensiemarkten ondersteunt.
Beschikbaarheid
De nieuwe in Chandler gevestigde GaN fab van NXP is nu gekwalificeerd, waarmee de eerste producten binnenkort uit de fabriek zullen komen en waarbij tegen het eind van 2020 de volledige productiecapaciteit bereikt zal gaan worden.
