Samsung start met de massaproductie van het eerste 512 GB eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 mobiele geheugen voor gebruik in high-end en ultra high-end smartphones. Het nieuwe 512 GB eUFS 3.1 geheugen is drie keer sneller dan 512 GB eUFS 3.0. Daarmee wordt de snelheidgrens van 1 GB per seconde voor smartphonegeheugen doorbroken.
Met een sequentiële schrijfsnelheid van meer dan 1.200 MB/s beschikt de Samsung 512 GB eUFS 3.1 over meer dan tweemaal de snelheid van een op SATA-gebaseerde PC (540 MB/s) en meer dan tien keer de snelheid van UHS-I microSD-kaarten (90 MB/s). Dit levert qua snelheid de gebruikservaring van een laptop. Dankzij het nieuwe geheugen neemt het overzetten van data van oude naar nieuwe smartphones minder tijd in beslag. Smartphones met het nieuwe eUFS 3.1 geheugen vereisen anderhalve minuut voor het overzetten van 100 GB aan data, tegenover meer dan vier minuten voor smartphones met eUFS 3.0.
Ook in randomprestaties verwerkt het 512 GB eUFS 3.1 geheugen data tot 60% sneller dan het gebruikelijke UFS 3.0. eUFS 3.1 biedt 100.000 input/output per seconde (IOPS) voor lezen en 70.000 IOPS voor schrijven.
Naast de optie voor 512 GB maakt Samsung de 256 GB en 128 GB versies van het eUFS 3.1 geheugen beschikbaar voor smartphones die later dit jaar worden geïntroduceerd.
Om aan de vraag naar snel geheugen voor smartphones te voldoen, startte Samsung deze maand met de massaproductie van de vijfde generatie V-NAND op zijn nieuwe productielijn in Xi’an, China. Ook wordt binnenkort de massaproductie van V-NAND in Pyeongtaek, Korea opgeschaald van de vijfde naar de zesde generatie V-NAND.
