
Intel en Micron claimen doorbraak in flash geheugen

Intel en Micron nemen een nieuw type geheugenchip in productie. De 3D XPoint belooft tot 1000 keer sneller te worden dan de huidige NAND flash chip in mobiele apparaten. De opslagcapaciteit kan met een factor 10 stijgen in vergelijking met DRAM in pc's. 3D Xpoint wordt aangeprezen als de eerste nieuwe categorie geheugen in meer dan 25 jaar. Het gaat om non-volatile geheugen, dat ook data vast kan houden zonder stroom. Volgens Intel en Micron hebben moderne computers last van de tijd die het kost om data uit lange termijn geheugen in de processor te krijgen. Daarvoor biedt de nieuwe technologie een oplossing. In DRAM geheugen liggen geheugencellen op een raster van bit-lines en word-lines. De cross point architectuur stapelt de geheugencellen in lagen, waardoor ze individueel en sneller kunnen worden gelezen of bewerkt. De eerste chips worden later dit jaar in kleine hoeveelheden naar enkele klanten verzonden.
Categorieën:
Bedrijven:
Regio's:
Gerelateerde artikelen
Aanvullen profiel
Alvorens de whitepaper te downloaden willen we vragen je profiel aan te vullen met bedrijf en functie. Na bevestigen ontvang je de whitepaper.