Onderzoekers van de William Marsh Rice University (Houston, VS), hebben een methode ontwikkeld om de productie van resistive random access memory (RRAM) veel goedkoper te maken. Dat schrijft Technology Review.
Met RRAM is het mogelijk om veel meer data op te slaan – tot 1 TB op een processor ter grootte van een postzegel – dan met het huidige RAM. RRAM is daarnaast tot 100 maal sneller dan flash-geheugen. De productie is echter duur en moeilijk vanwege de benodigde hoge temperaturen en voltages. De wetenschappers van de Rice universiteit zeggen nu een manier te hebben ontwikkeld om RRAM te produceren bij kamertemperatuur en met veel geringere voltages.
RRAM-geheugen is door de geringe benodigde omvang zeer geschikt voor gebruik in mobiele devices. De universiteit verwacht op korte termijn al een licentieovereenkomst te kunnen sluiten met een producent van geheugenprocessors.
