IBM en Samsung hebben een nieuw chipontwerp aangekondigd, dat volgens de fabrikanten tot 85 procent zuiniger is dan de huidige FinFET-standaard. Het nieuwe Vertical Transport Field Effect Transistors-ontwerp, kortweg VTFET, zet transistors loodrecht op het oppervlak van de chip.
Het VTFET-procedé zorgt er volgens IBM en Samsung voor dat er meer transistors op een oppervlak passen. Daarnaast beïnvloedt het ontwerp ook de contactpunten voor de transistors, waardoor er meer stroom vloeit en minder energie verloren gaat. IBM heeft al testchips gemaakt de gebruik maken van het nieuwe VTFET-procedé.
Door de nieuwe architectuur zijn er volgens de bedrijven verschillende nieuwe innovaties mogelijk. Zo zouden smartphonebatterijen met de nieuwe technologie meer dan een week mee kunnen gaan op één batterijlading. Daarnaast kunnen energie-intensieve processen, zoals cryptomining en data-encryptie, met aanzienlijk minder energie gedaan worden.
IBM en Samsung onthulden eerder dit jaar al de IBM Telum-processor, die is ontworpen om fraude in realtime aan te pakken.
